奈米級矽金氧半元件製程實驗室 本實驗室由胡振國教授主持，主要致力於金氧半(MOS)元件之製程及特性之研究。其研究領域包含了(1)以快速熱製程(RTP)來研究氧化層成長之均勻度、穩定度、機械應力效應及電特性等；(2)以電腦模擬熱流分析來研究機台特性對氧化層成長之影響；(3)以液相沈積法(LPD)成長矽金氧半太陽能電池及金氧半電容元件所須之閘極氧化層；(4)高介電常數閘極介電質(high-k gate dielectrics)之製程開發及特性研究。

本實驗室位於電機一館一樓西側，由林浩雄教授主持。本研究室利用分子束磊晶技術所研究之元件包括共振穿隧二極體、異質接面雙極電晶體、高電子移動率電晶體、中遠紅外線發光二極體、表面放光雷射、量子井光調制器、量子井光波導、量子點光偵測器、量子點雷射、傳統及含氮化合物的長波長雷射二極體、含銻第二型量子井結構雷射二極體等。主要的設備為兩套英國VG Semicon廠之V80研究型分子束磊晶機，目前可以成長的材料包括砷化鋁鎵、砷化銦鎵、砷化銦鋁、砷化銦鋁鎵、銻化鎵、砷銻化鎵、氮砷化銦鎵、砷化銦、銻砷化銦、銻磷砷化銦等材料系統。

本實驗室成立於1993年8月，位於電機二館405室，由林清富教授所領導，主要研究主題為半導體與奈米光電相關研究，在最近五年當中（2000年至今）研究成果豐碩，共發表國際期刊論文58篇，會議論文130篇，已獲得專利24項，並有多項專利正在申請中，研究成果涵遜篘蝏P理論。研究領域範圍包括量子點雷射、矽晶片之電激發光及矽半導體雷射、奈米光電元件研究、顯示器光電元件研發、極寬頻半導體雷射放大器、大範圍可調波長半導體雷射等。

本實驗室由吳忠幟教授主持，主要從事兩方面之研究： (1)顯示技術研究：致力於高效率、高畫質之全彩有機發光元件與顯示技術，顯示光學等之研究。 (2)有機光電半導體與元件研究：致力於有機半導體與光電元件之物理與技術，有機發光與電子元件，感光元件，有機半導體中之載子傳輸與光物理特性與機制等之研究。 主要的研究設備包括有機材料與元件之沉積與成長系統，各式電性及光學量測系統等。

本實驗室致力於發展新穎分子束矽鍺磊晶技術(SiGe MBE)及新穎矽鍺半導體元件之基礎光電學研究。在磊晶方面，致力於開發各種磊晶方式包括調變式摻雜低溫矽緩衝層技術、超低溫矽緩衝層...等，並以此磊晶技術製作各式新穎矽鍺半導體元件如超晶格、量子井、量子點與THz光發射器與光接受器。在基礎光電學研究方面，以低溫高磁場的環境來量測各式元件之光電特性，如磁光效應、量子霍爾效應...等。學生研究室位於凝態物理館(台大體育館對面)10樓1007及11樓1114，實驗室位於大樓地下室B115和B114b。

本實驗室研究發展方向著重於電子系統與生醫科技應用的整合，重點研究的方向包含：生物分子量測技術及氣體分子感測技術等，其相關的應用系統及元件如：無線感測網路系統、生物分子感測器、微分析系統平臺及微氣體感測器等。經由基本電子元件模型、微流體力學及統計力學等理論基礎出發，整合系統介面電路設計、感測材料及製程技術的開發，發展奈微米感測元件於生醫技術中的應用。儀器設備包含倒立式生物螢光顯微鏡、鎖相放大器及電子訊號相關基本量測設備。本實驗室現位於電機一館223室。

本實驗室位於電機二館307B，目前研究的主題為化合物半導體的電子及光電元件，並應用在高速、低能耗，及高功率的電子電子應用。主要研究主題有：(1) 三五族半導體電子與光電元件製程與應用：主要研究方向在設計與開發新型三五族的高速電晶體元件，應用在微波測量儀器，功率放大器，THz影像分析，以及和矽基材料的電子元件做整合。 (2) 高速低能耗邏輯元件：研究下一代半導體邏輯運算元件，利用新型二維材料、三五族材料、或新型穿遂結構、立體結構，開發高速低能耗的電晶體，提供未來能夠與矽基材料做整合的可能。 (3) 發光電晶體與電晶體雷射：本主題是在研究最新型的半導體光電元件，其重要性曾獲選為Applied Physics Letters期刊過去五十年來最重要的五篇論文之一。利用電晶體結構，使載子復合速率打破過去五十年來教科書對發光二極體和二極體雷射的認知，預期光的調變速度可達到超過100 GHz，未來可應用於光通訊系統中的訊號發送和接收，高速高容量的傳輸線，以及結合積體電路用光取代電訊號做調變傳輸。 (4) 光積體電路開發與應用：本研究應用電晶體雷射同時具有電訊號和光訊號輸出的特性，和現有的電子電路做結合，可望減少電路的複雜度和成本，降低因為熱所造成的功率損耗和壽命減少，並同時增加電路傳輸和運算速度。 (5) 高功率元件的開發：應用在軍事、車用、及通訊上的功率放大器、交換器、震盪器等高功率、高崩潰電壓的電晶體元件，並結合發光元件（雷射、發光二極體、發光電晶體）等製作光電整合電路。 (6) 高速光互聯：提供未來較大頻寬的短距離通訊媒介的元件，取代過往的銅導線，減少寄生電阻電容的延遲，以及開發兼具照明的可見光通訊的應用。

量子電子實驗室由李峻霣教授於2013夏天成立，主要是研究方向為未來的邏輯與記憶體元件。藉由半導體磊晶技術如化學氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)，並結合原子層沈積技術(atomic layer deposition, ALD)成長高品質的異質結構，可應用於先進邏輯元件、前瞻記憶體元件、量子計算元件、自旋電晶體、矽光子等應用。

(1) 研究具高能量效率應用之鐵電場效電晶體元件、電路及記憶體。 (2) 研究前瞻奈米電子元件，包含高載子遷移率通道元件及二維材料元件等，分析其本質變異度及可靠度，研究前瞻奈米電子元件與其電路之共同最佳化。 (3) 高效能及超低功耗之靜態隨機存取記憶體設計，包含研究前瞻元件讀取寫入輔助電路及感測放大器。 (4) 積層型三維積體電路及系統技術共同最佳化。