超薄閘極氧化層製程技術，高介電係數絕緣層製程技術，新型矽基感測元件，前瞻超薄氧化層特性分析

化合物半導體材料與元件，分子束磊晶

半導體雷射，極寬頻半導體光放大器，奈米光電元件，矽晶片發光

CVD磊晶為基礎，研發SiGe/GeSn 元件、stacked 3D電晶體、MTJ/DRAM記憶體、IGZO TFT、暨光電元件

有機光電半導體與元件，顯示技術,照明技術，奈米科技，軟性電子

（與凝態中心合聘，不招收電子所學生）

GeSi/Si、SiGeSn分子束磊晶，新穎矽鍺半導體奈米元件(Laser、LED、RTD、SET...)研發，半導體異質結構的光電特性，半導體低溫高磁場霍爾量測

（與光電所合聘）

Semiconductor nanostructures，Organic semiconductors，Semiconductor physics，Surfaces and interfaces of semiconductors，Nitride-based semiconductor devices

（與中央研究院應用科學研究中心合聘）

石墨烯成長及元件應用，奈米結構成長及光電元件應用

生物微機電系統整合技術，奈微米製程及應用，生醫電子晶片技術，生化感測晶片技術

（與材料系合聘，不招收電子所學生）

先進的原子層沈積技術，奈米電晶體，奈米表面電漿子與表面增強拉曼散射，奈米光電材料與元件

化合物半導體電子及光電元件，發光電晶體與電晶體雷射，垂直共振腔面射型雷射、DFB邊射型雷射、二維材料電晶體、光電積體整合電路，高頻與高功率氮化鎵電晶體

一、前瞻記憶體與電晶體：GeSn FETs、GAA FETs、FeRAM、FeFET、FTJ/MTJ。 二、量子計算：量子點元件、單電子電晶體、庫侖阻塞、微波自旋操控、低溫CMOS。 三、超導體：約瑟夫森介面、超導/半導體異質介面、超導電晶體、超導體量子計算。 四、自旋電子：自旋軌道耦合作用、自旋注入、自旋電晶體。 五、2D過渡金屬硫化物電晶體用。 六、矽光子元件：鍺錫光偵測器、鍺錫發光二極體。

鐵電場效電晶體記憶體及電路設計，前瞻奈米電子元件 ，靜態隨機存取記憶體設計，積層型三維積體電路及系統技術共同最佳化

一、次世代奈米製程研發與應用:分子奈米結構自主排列製成(Directed Self-Assembly)、二維材料元件的生長應用(2D materials Growth/Application)、新穎性材料整合(Novel Materials)。 二、薄膜及可彎性/可穿戴式電子 :異晶性薄膜材料整合(Heterogeneous stacked Electronics)、可彎式/穿戴式高性能電子元件(Flexible/Wearable Electronics)、薄膜光學元件(Thin-Film Optoelectronics)。 三、綠能奈米電子:綠能永續電子(Self-Powered nano Electronics)、可回收式奈米電子元件(Recyclable nano Electronics)。 四、Ultra-High Bandgap Materials: Ga2O3, Diamond, Sapphire。